【交流】利用XRD如何测试晶格应力?

来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/04/19 16:04:59
【交流】利用XRD如何测试晶格应力?

【交流】利用XRD如何测试晶格应力?
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【交流】利用XRD如何测试晶格应力?
通常在异质外延的薄膜中存有残余应力,应力会影响电子器件的性能,引起器件成品率及可靠性问题.因此分析薄膜内部应力随生长条件的变化是有一定意义的.c轴择优生长的Zno薄膜,当(002)衍射峰的2θ值大于标准值时,就小于晶体材料的晶面间距值.说明薄膜沿C轴方向被压缩,即样品中存在着面内张应力.而当2θ值小于标准值时,样品中存在着面内压应力.根据公式
可以计算出薄膜内存在的应力,其中C0为粉末样品的晶格常数.impcas(站内联系TA)应该与衍射峰的位置有关.exciton-wu(站内联系TA)如果为多晶样品,可以考虑X射线侧倾法.具体文献见J.Appl.Phys.104,083516 (2008)静听花开幕(站内联系TA)谢谢你们usst(站内联系TA)个人理解应力反映表面/界面的能量,应力越大,表明表面/界面的能量越大.而应力是由于晶格失配/缺陷等复杂原因造成的,其直接表现就是晶格常数的变化.因而由x射线衍射测出晶格常数,再与标准晶格常数比较就能分析薄膜/颗粒的这些特性.doublewei(站内联系TA)关于ZnO的XRD与应力的关系还是有很多的文献,但是除了择优生长的情况以外,其他情况是怎样解释呢?一直比较迷茫……;)

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