作业帮．在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于（ ）,而少子的浓度则受（ ）的影响很大．温度 B．晶体缺陷 C．掺杂工艺 D．掺杂浓度
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/04 04:51:50
．在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于（ ）,而少子的浓度则受（ ）的影响很大．温度 B．晶体缺陷 C．掺杂工艺 D．掺杂浓度
．在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于（ ）,而少子的浓度则受（ ）的影响很大
．温度 B．晶体缺陷 C．掺杂工艺 D．掺杂浓度
．在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于（ ）,而少子的浓度则受（ ）的影响很大．温度 B．晶体缺陷 C．掺杂工艺 D．掺杂浓度
D A